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VT6X1T2R

VT6X1T2R

僅供參考

型號 VT6X1T2R
PNEDA編號 VT6X1T2R
描述 TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VT6X1T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VT6X1T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
VT6X1T2R, VT6X1T2R數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,223.63 KB)
PDFVT6X1T2R數據表 封面
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VT6X1T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 2V
功率-最大150mW
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD
供應商設備包裝VMT6

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 500mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

120MHz

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA, 100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V, 50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V / 160 @ 2mA, 10V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

650MHz, 150MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

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工作溫度

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