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VS-SD1100C12C

VS-SD1100C12C

僅供參考

型號 VS-SD1100C12C
PNEDA編號 VS-SD1100C12C
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-SD1100C12C資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-SD1100C12C
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-SD1100C12C, VS-SD1100C12C數據表 (總頁數: 8, 大小: 187.74 KB)
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VS-SD1100C12C規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)1400A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.31V @ 1500A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr35mA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-200AA, A-PUK
供應商設備包裝B-43, Hockey PUK
工作溫度-結點-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 440V

電容@ Vr,F

10pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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