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VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N

僅供參考

型號 VS-GT50TP120N
PNEDA編號 VS-GT50TP120N
描述 IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-GT50TP120N資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-GT50TP120N
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-GT50TP120N規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型Trench
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大405W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.24nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供應商設備包裝INT-A-PAK

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

25µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

供應商設備包裝

ISOTOP®

VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

446W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.29nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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100A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Yes

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