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VS-CPV362M4UPBF

VS-CPV362M4UPBF

僅供參考

型號 VS-CPV362M4UPBF
PNEDA編號 VS-CPV362M4UPBF
描述 MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-CPV362M4UPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-CPV362M4UPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
VS-CPV362M4UPBF, VS-CPV362M4UPBF數據表 (總頁數: 10, 大小: 255.98 KB)
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VS-CPV362M4UPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)7.2A
功率-最大23W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 3.9A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.53nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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系列

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1200A

功率-最大

2400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

160nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-50°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT225DU170G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

20nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

355A

功率-最大

1400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E+

供應商設備包裝

E+

APTGT400A120D3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

580A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D-3 Module

供應商設備包裝

D3

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Level Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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包裝/箱

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