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VS-20ETF12THM3

VS-20ETF12THM3

僅供參考

型號 VS-20ETF12THM3
PNEDA編號 VS-20ETF12THM3
描述 RECTIFIER DIODE 20A 1200V TO-220
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-20ETF12THM3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-20ETF12THM3
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
VS-20ETF12THM3, VS-20ETF12THM3數據表 (總頁數: 7, 大小: 229.19 KB)
PDFVS-20ETF12THM3數據表 封面
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VS-20ETF12THM3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

70mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

100ps

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-80

供應商設備包裝

SCD-80

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

SUPERECTIFIER®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1600V

電容@ Vr,F

5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 9A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

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