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VS-1N3768

VS-1N3768

僅供參考

型號 VS-1N3768
PNEDA編號 VS-1N3768
描述 DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-1N3768資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-1N3768
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VS-1N3768規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 110A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 1000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-203AB
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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