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US6J11TR

US6J11TR

僅供參考

型號 US6J11TR
PNEDA編號 US6J11TR
描述 MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6J11TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6J11TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6J11TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 6V
功率-最大320mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc), 85A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V

功率-最大

24W, 75W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.1pF @ 3V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72.5mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 50V

功率-最大

18W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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