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US6J11TR

US6J11TR

僅供參考

型號 US6J11TR
PNEDA編號 US6J11TR
描述 MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6J11TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6J11TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6J11TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 6V
功率-最大320mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7A , 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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