US1J R3G
僅供參考
| 型號 | US1J R3G |
| PNEDA編號 | US1J-R3G |
| 描述 | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 52,224 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
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US1J R3G規格
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 系列 | - |
| 二極管類型 | Standard |
| 電壓-直流反向（Vr）（最大值） | 600V |
| 電流-平均整流（Io） | 1A |
| 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 | 1.7V @ 1A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 反向恢復時間（trr） | 75ns |
| 當前-反向泄漏@ Vr | 5µA @ 600V |
| 電容@ Vr，F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | DO-214AC, SMA |
| 供應商設備包裝 | DO-214AC (SMA) |
| 工作溫度-結點 | -55°C ~ 150°C |
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