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UMG4NTR

UMG4NTR

僅供參考

型號 UMG4NTR
PNEDA編號 UMG4NTR
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 47,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMG4NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMG4NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMG4NTR, UMG4NTR數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,293.67 KB)
PDFEMG4T2R數據表 封面
EMG4T2R數據表 頁面 2 EMG4T2R數據表 頁面 3 EMG4T2R數據表 頁面 4 EMG4T2R數據表 頁面 5 EMG4T2R數據表 頁面 6 EMG4T2R數據表 頁面 7 EMG4T2R數據表 頁面 8 EMG4T2R數據表 頁面 9

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UMG4NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝UMT5

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

13kOhms, 130Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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功率-最大

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

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50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

187mW

安裝類型

Surface Mount

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電阻-基本(R1)

10kOhms

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