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UMD2NTR

UMD2NTR

僅供參考

型號 UMD2NTR
PNEDA編號 UMD2NTR
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UMD2NTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UMD2NTR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
UMD2NTR, UMD2NTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,394.68 KB)
PDFEMD2T2R數據表 封面
EMD2T2R數據表 頁面 2 EMD2T2R數據表 頁面 3 EMD2T2R數據表 頁面 4 EMD2T2R數據表 頁面 5 EMD2T2R數據表 頁面 6 EMD2T2R數據表 頁面 7 EMD2T2R數據表 頁面 8 EMD2T2R數據表 頁面 9 EMD2T2R數據表 頁面 10 EMD2T2R數據表 頁面 11

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UMD2NTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝UMT6

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 PNP Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW, 120mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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