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ULQ2003D1

ULQ2003D1

僅供參考

型號 ULQ2003D1
PNEDA編號 ULQ2003D1
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULQ2003D1資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULQ2003D1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ULQ2003D1, ULQ2003D1數據表 (總頁數: 14, 大小: 610.38 KB)
PDFULQ2001D1013TR數據表 封面
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ULQ2003D1規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SO

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 10V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

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10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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