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ULN2003AFWG,O,N,E

ULN2003AFWG,O,N,E

僅供參考

型號 ULN2003AFWG,O,N,E
PNEDA編號 ULN2003AFWG-O-N-E
描述 IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 8 - 七月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ULN2003AFWG資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ULN2003AFWG,O,N,E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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ULN2003AFWG規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大1.25W
頻率-過渡-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOL

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Surface Mount

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

600mW

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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2 NPN (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

90mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

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