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TTC5200(Q)

TTC5200(Q)

僅供參考

型號 TTC5200(Q)
PNEDA編號 TTC5200-Q
描述 TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TTC5200(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TTC5200(Q)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TTC5200(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)230V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 5V
功率-最大150W
頻率-過渡30MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PL
供應商設備包裝TO-3P(L)

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 750MA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220

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晶體管類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 20mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1.5A, 1.5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 2.4A, 60A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 60A, 5V

功率-最大

250W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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