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TTC1949-GR,LF

TTC1949-GR,LF

僅供參考

型號 TTC1949-GR,LF
PNEDA編號 TTC1949-GR-LF
描述 NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TTC1949-GR資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TTC1949-GR,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TTC1949-GR規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 16mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2A, 2V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

500mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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