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TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

僅供參考

型號 TPC8212-H(TE12LQ,M
PNEDA編號 TPC8212-H-TE12LQ-M
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8212-H(TE12LQ資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8212-H(TE12LQ,M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TPC8212-H(TE12LQ, TPC8212-H(TE12LQ數據表 (總頁數: 7, 大小: 218.43 KB)
PDFTPC8212-H(TE12LQ數據表 封面
TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 2 TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 3 TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 4 TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 5 TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 6 TPC8212-H(TE12LQ數據表 頁面 7

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TPC8212-H(TE12LQ規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 8A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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33nC @ 10V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

19.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

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