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TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

僅供參考

型號 TPC8067-H,LQ(S
PNEDA編號 TPC8067-H-LQ-S
描述 MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 11 - 十二月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8067-H資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8067-H,LQ(S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC8067-H規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds690pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1362pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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