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TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

僅供參考

型號 TPC8022-H(TE12LQ,M
PNEDA編號 TPC8022-H-TE12LQ-M
描述 MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
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TPC8022-H(TE12LQ資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8022-H(TE12LQ,M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8022-H(TE12LQ, TPC8022-H(TE12LQ數據表 (總頁數: 7, 大小: 237.34 KB)
PDFTPC8022-H(TE12LQ數據表 封面
TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 2 TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 3 TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 4 TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 5 TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 6 TPC8022-H(TE12LQ數據表 頁面 7

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TPC8022-H(TE12LQ規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

182mOhm @ 12.5A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 4.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1520pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

139W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1505pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32.1W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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功耗(最大值)

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安裝類型

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