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TK40E10N1,S1X

TK40E10N1,S1X

僅供參考

型號 TK40E10N1,S1X
PNEDA編號 TK40E10N1-S1X
描述 MOSFET N CH 100V 90A TO220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK40E10N1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK40E10N1,S1X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK40E10N1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3000pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)126W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2840pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

19.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 11A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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