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TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

僅供參考

型號 TK40E10K3,S1X(S
PNEDA編號 TK40E10K3-S1X-S
描述 MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK40E10K3資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK40E10K3,S1X(S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TK40E10K3, TK40E10K3數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L數據表 封面
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TK40E10K3規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1013pF @ 12V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1410pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta), 8.33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.8mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4572pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

62.5W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

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