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TIP41BG

TIP41BG

僅供參考

型號 TIP41BG
PNEDA編號 TIP41BG
描述 TRANS NPN 80V 6A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP41BG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP41BG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP41BG, TIP41BG數據表 (總頁數: 8, 大小: 271.48 KB)
PDFTIP42B數據表 封面
TIP42B數據表 頁面 2 TIP42B數據表 頁面 3 TIP42B數據表 頁面 4 TIP42B數據表 頁面 5 TIP42B數據表 頁面 6 TIP42B數據表 頁面 7 TIP42B數據表 頁面 8

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TIP41BG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)700µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

620mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.1V @ 200µA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 200mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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