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TIP32CPWD

TIP32CPWD

僅供參考

型號 TIP32CPWD
PNEDA編號 TIP32CPWD
描述 TRANS PNP 100V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP32CPWD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP32CPWD
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TIP32CPWD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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Through Hole

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

2MHz

工作溫度

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1.5A, 2V

功率-最大

40W

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2.5MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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