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TIP112TU

TIP112TU

僅供參考

型號 TIP112TU
PNEDA編號 TIP112TU
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP112TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP112TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP112TU, TIP112TU數據表 (總頁數: 7, 大小: 344.53 KB)
PDFTIP112數據表 封面
TIP112數據表 頁面 2 TIP112數據表 頁面 3 TIP112數據表 頁面 4 TIP112數據表 頁面 5 TIP112數據表 頁面 6 TIP112數據表 頁面 7

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TIP112TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 5A, 3V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 1V

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頻率-過渡

80MHz

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