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TIP112-BP

TIP112-BP

僅供參考

型號 TIP112-BP
PNEDA編號 TIP112-BP
描述 TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220AB
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 14,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP112-BP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP112-BP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP112-BP, TIP112-BP數據表 (總頁數: 2, 大小: 412.77 KB)
PDFTIP111-BP數據表 封面
TIP111-BP數據表 頁面 2

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TIP112-BP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大50W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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NPN

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4.5A

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75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

440mV @ 200mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 300mA, 10V

功率-最大

800mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 2A, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5.1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 255mA, 5.1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 5A, 4V

功率-最大

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