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THGBMJG8C2LBAIL

THGBMJG8C2LBAIL

僅供參考

型號 THGBMJG8C2LBAIL
PNEDA編號 THGBMJG8C2LBAIL
描述 32GB V5.1 EMMC
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMJG8C2LBAIL資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMJG8C2LBAIL
類別半導體內存IC內存

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THGBMJG8C2LBAIL規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-FBGA (11.5x13)

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內存大小

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內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

50µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP

M24C04-RMN6TP

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

15µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

14-TSSOP

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