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TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

僅供參考

型號 TC58NVG1S3ETAI0
PNEDA編號 TC58NVG1S3ETAI0
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58NVG1S3ETAI0資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58NVG1S3ETAI0
類別半導體內存IC內存
數據表
TC58NVG1S3ETAI0, TC58NVG1S3ETAI0數據表 (總頁數: 65, 大小: 491.53 KB)
PDFTC58NVG1S3ETAI0數據表 封面
TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 2 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 3 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 4 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 5 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 6 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 7 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 8 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 9 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 10 TC58NVG1S3ETAI0數據表 頁面 11

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TC58NVG1S3ETAI0規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

375MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

30ns

訪問時間

30ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

30µs, 750µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

633MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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