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TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

僅供參考

型號 TC58NVG0S3HBAI6
PNEDA編號 TC58NVG0S3HBAI6
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58NVG0S3HBAI6資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58NVG0S3HBAI6
類別半導體內存IC內存

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TC58NVG0S3HBAI6規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱67-VFBGA
供應商設備包裝67-VFBGA (6.5x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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時鐘頻率

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1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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寫周期-字,頁

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