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TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

僅供參考

型號 TC58BVG0S3HBAI6
PNEDA編號 TC58BVG0S3HBAI6
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 403
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58BVG0S3HBAI6資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58BVG0S3HBAI6
類別半導體內存IC內存

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TC58BVG0S3HBAI6規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列Benand™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱67-VFBGA
供應商設備包裝67-VFBGA (6.5x8)

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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