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SUP90N08-7M7P-E3

SUP90N08-7M7P-E3

僅供參考

型號 SUP90N08-7M7P-E3
PNEDA編號 SUP90N08-7M7P-E3
描述 MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUP90N08-7M7P-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUP90N08-7M7P-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUP90N08-7M7P-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4250pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 20V

Vgs(最大)

+20V, -5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3180pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4070pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

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