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SUP60N06-12P-E3

SUP60N06-12P-E3

僅供參考

型號 SUP60N06-12P-E3
PNEDA編號 SUP60N06-12P-E3
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 25 - 六月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUP60N06-12P-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUP60N06-12P-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUP60N06-12P-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1970pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.25W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 300V

FET功能

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功耗(最大值)

60W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

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功耗(最大值)

430W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

355nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4510pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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