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SUM60030E-GE3

SUM60030E-GE3

僅供參考

型號 SUM60030E-GE3
PNEDA編號 SUM60030E-GE3
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 5 - 六月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM60030E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM60030E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUM60030E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs141nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7910pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)375W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

178nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7765pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 272.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

320mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

250mW (Ta)

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功耗(最大值)

1.75W (Tc)

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