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STW26NM60ND

STW26NM60ND

僅供參考

型號 STW26NM60ND
PNEDA編號 STW26NM60ND
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW26NM60ND資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW26NM60ND
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW26NM60ND, STW26NM60ND數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,352.76 KB)
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STW26NM60ND規格

制造商STMicroelectronics
系列FDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs54.6nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1817pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

905pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1007pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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70A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

78W (Tc)

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功耗(最大值)

1.79W (Ta)

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