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STU11N65M2

STU11N65M2

僅供參考

型號 STU11N65M2
PNEDA編號 STU11N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU11N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU11N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STU11N65M2, STU11N65M2數據表 (總頁數: 27, 大小: 757.73 KB)
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STU11N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds410pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 34µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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64nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

254W (Tc)

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