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STP9NM60N

STP9NM60N

僅供參考

型號 STP9NM60N
PNEDA編號 STP9NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 20,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 7 - 七月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP9NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP9NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP9NM60N, STP9NM60N數據表 (總頁數: 24, 大小: 587.79 KB)
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STP9NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs745mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.4nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds452pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.85mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

860nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

44000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

266nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2415pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

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