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STP25NM60N

STP25NM60N

僅供參考

型號 STP25NM60N
PNEDA編號 STP25NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP25NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP25NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STP25NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs84nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2400pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)160W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1633pF @ 25V

FET功能

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

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16.4A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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