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STP20N65M5

STP20N65M5

僅供參考

型號 STP20N65M5
PNEDA編號 STP20N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP20N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP20N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP20N65M5, STP20N65M5數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,169.83 KB)
PDFSTI20N65M5數據表 封面
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STP20N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1345pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)130W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

448pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

344pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

595pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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FET功能

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1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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