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STP15N60M2-EP

STP15N60M2-EP

僅供參考

型號 STP15N60M2-EP
PNEDA編號 STP15N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP15N60M2-EP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP15N60M2-EP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP15N60M2-EP, STP15N60M2-EP數據表 (總頁數: 14, 大小: 512.4 KB)
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STP15N60M2-EP規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2-EP
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2722pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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DMTH8008LPS-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

950mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

制造商

EPC

系列

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FET類型

N-Channel

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

77.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 44.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 2.96mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

290nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6530pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

481W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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