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STL33N65M2

STL33N65M2

僅供參考

型號 STL33N65M2
PNEDA編號 STL33N65M2
描述 N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL33N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL33N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL33N65M2, STL33N65M2數據表 (總頁數: 15, 大小: 809.97 KB)
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STL33N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs154mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1790pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Ta), 47.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.3nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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3.2W (Ta), 125W (Tc)

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