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STL25N60M2-EP

STL25N60M2-EP

僅供參考

型號 STL25N60M2-EP
PNEDA編號 STL25N60M2-EP
描述 MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 23,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL25N60M2-EP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL25N60M2-EP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL25N60M2-EP, STL25N60M2-EP數據表 (總頁數: 16, 大小: 404.22 KB)
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STL25N60M2-EP規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2-EP
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs205mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.75V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1090pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 1000V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1231pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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11.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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