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STL16N60M2

STL16N60M2

僅供參考

型號 STL16N60M2
PNEDA編號 STL16N60M2
制造商 STMicroelectronics
描述 MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
單價
  • 1$ 0.0000
  • 100$ 0.0000
  • 500$ 0.0000
  • 1000$ 0.0000
  • 2500$ 0.0000
庫存 7,272
倉庫 USA, Europe, China, Hong Kong SAR
付款方式 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運輸方式 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery
預計交貨 十月 22 - 十月 27 (選擇加急運輸)
保修 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL16N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
制造商零件編號STL16N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL16N60M2, STL16N60M2數據表 (總頁數: 15, 大小: 467.58 KB)
PDFSTL16N60M2數據表 封面
STL16N60M2數據表 頁面 2 STL16N60M2數據表 頁面 3 STL16N60M2數據表 頁面 4 STL16N60M2數據表 頁面 5 STL16N60M2數據表 頁面 6 STL16N60M2數據表 頁面 7 STL16N60M2數據表 頁面 8 STL16N60M2數據表 頁面 9 STL16N60M2數據表 頁面 10 STL16N60M2數據表 頁面 11

STL16N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs355mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds704pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3480pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

254mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

81pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

342mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

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-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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