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STGW20NB60KD

STGW20NB60KD

僅供參考

型號 STGW20NB60KD
PNEDA編號 STGW20NB60KD
描述 IGBT 600V 50A 170W TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW20NB60KD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW20NB60KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW20NB60KD, STGW20NB60KD數據表 (總頁數: 11, 大小: 307.38 KB)
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STGW20NB60KD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 20A
功率-最大170W
開關能量675µJ (on), 500µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用85nC
25°C時的Td(開/關)39ns/105ns
測試條件480V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)80.5ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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600V

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70A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 24A

功率-最大

190W

開關能量

320µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

66nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/110ns

測試條件

400V, 24A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

96A

電流-集電極脈沖(Icm)

144A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

625µJ (on), 1.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/145ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

560W

開關能量

4.4mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

136ns/360ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

IRGP6650DPBF

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Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 35A

功率-最大

306W

開關能量

300µJ (on), 630µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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