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STGW20H65FB

STGW20H65FB

僅供參考

型號 STGW20H65FB
PNEDA編號 STGW20H65FB
描述 IGBT 650V 40A 168W TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW20H65FB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW20H65FB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW20H65FB, STGW20H65FB數據表 (總頁數: 20, 大小: 1,496.82 KB)
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STGW20H65FB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 20A
功率-最大168W
開關能量77µJ (on), 170µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用120nC
25°C時的Td(開/關)30ns/139ns
測試條件400V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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開關能量

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門禁費用

180nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

425ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.81V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

194µJ (on), 388µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/68.8ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 60A

功率-最大

333W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

20.8ns/102ns

測試條件

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34.6ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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