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STGP3NB60KD

STGP3NB60KD

僅供參考

型號 STGP3NB60KD
PNEDA編號 STGP3NB60KD
描述 IGBT 600V 10A 50W TO220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGP3NB60KD資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGP3NB60KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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STGP3NB60KD規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 3A
功率-最大50W
開關能量30µJ (on), 58µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用14nC
25°C時的Td(開/關)14ns/33ns
測試條件480V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)45ns
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

179W

開關能量

440µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/225ns

測試條件

400V, 20A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

333W

開關能量

830µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

60.5nC

25°C時的Td(開/關)

-/134ns

測試條件

600V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/90ns

測試條件

400V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

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制造商

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系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

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13A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 2A

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門禁費用

10.6nC

25°C時的Td(開/關)

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反向恢復時間(trr)

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