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STGF6M65DF2

STGF6M65DF2

僅供參考

型號 STGF6M65DF2
PNEDA編號 STGF6M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGF6M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGF6M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGF6M65DF2, STGF6M65DF2數據表 (總頁數: 17, 大小: 961.01 KB)
PDFSTGF6M65DF2數據表 封面
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STGF6M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 6A
功率-最大24.2W
開關能量36µJ (on), 200µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用21.2nC
25°C時的Td(開/關)15ns/90ns
測試條件400V, 6A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)140ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220FP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

500W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

29nC

25°C時的Td(開/關)

650ns/13.5µs

測試條件

300V, 10A, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 32A

功率-最大

300W

開關能量

950µJ (on), 2.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/334ns

測試條件

480V, 32A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.7µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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TO-220-3 Full Pack

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