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STGD5H60DF

STGD5H60DF

僅供參考

型號 STGD5H60DF
PNEDA編號 STGD5H60DF
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 26,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD5H60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD5H60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD5H60DF, STGD5H60DF數據表 (總頁數: 31, 大小: 695.42 KB)
PDFSTGP5H60DF數據表 封面
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STGD5H60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電流-集電極脈沖(Icm)20A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 5A
功率-最大83W
開關能量56µJ (on), 78.5µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用43nC
25°C時的Td(開/關)30ns/140ns
測試條件400V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)134.5ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 85A

功率-最大

330W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

143nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

195W

開關能量

570µJ (on), 590µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

175nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/90ns

測試條件

300V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

95ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

BUP213

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

電流-集電極脈沖(Icm)

64A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 15A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

70ns/400ns

測試條件

600V, 15A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

電流-集電極脈沖(Icm)

600A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

功率-最大

830W

開關能量

10mJ (on), 33mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/490ns

測試條件

960V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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85A

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