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STGD4M65DF2

STGD4M65DF2

僅供參考

型號 STGD4M65DF2
PNEDA編號 STGD4M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 46,530
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGD4M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGD4M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGD4M65DF2, STGD4M65DF2數據表 (總頁數: 20, 大小: 443.73 KB)
PDFSTGD4M65DF2數據表 封面
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STGD4M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電流-集電極脈沖(Icm)16A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 4A
功率-最大68W
開關能量40µJ (on), 136µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15.2nC
25°C時的Td(開/關)12ns/86ns
測試條件400V, 4A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)133ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.85V @ 15V, 50A

功率-最大

390W

開關能量

255µJ (on), 375µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

205nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/130ns

測試條件

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Infineon Technologies

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.85V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

850µJ (on), 425µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

169nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 60A

功率-最大

540W

開關能量

1.38mJ (on), 3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

230nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/320ns

測試條件

480V, 50A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

390V

當前-集電極(Ic)(最大值)

46A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 10A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

-/10.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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