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STGB20NB32LZ

STGB20NB32LZ

僅供參考

型號 STGB20NB32LZ
PNEDA編號 STGB20NB32LZ
描述 IGBT 375V 40A 150W I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB20NB32LZ資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB20NB32LZ
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB20NB32LZ, STGB20NB32LZ數據表 (總頁數: 11, 大小: 505.05 KB)
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STGB20NB32LZ規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)375V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 4.5V, 20A
功率-最大150W
開關能量11.8mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用51nC
25°C時的Td(開/關)2.3µs/11.5µs
測試條件250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 60A

功率-最大

420W

開關能量

940µJ (on), 1.06mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

217nC

25°C時的Td(開/關)

85ns/178ns

測試條件

400V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

19ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

76A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 30A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

功率-最大

75W

開關能量

452µJ (on), 141µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

64nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/91ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

26.7ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-3PF

制造商

IXYS

系列

XPT™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

485A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

功率-最大

880W

開關能量

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

260nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/236ns

測試條件

850V, 50A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

255ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

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100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

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