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STGB20M65DF2

STGB20M65DF2

僅供參考

型號 STGB20M65DF2
PNEDA編號 STGB20M65DF2
描述 IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB20M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB20M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB20M65DF2, STGB20M65DF2數據表 (總頁數: 18, 大小: 677.88 KB)
PDFSTGB20M65DF2數據表 封面
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STGB20M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 20A
功率-最大166W
開關能量140µJ (on), 560µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用63nC
25°C時的Td(開/關)26ns/108ns
測試條件400V, 20A, 12Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)166ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

電流-集電極脈沖(Icm)

340A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 70A

功率-最大

695W

開關能量

2mJ (on), 950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/90ns

測試條件

360V, 70A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 11A

功率-最大

298W

開關能量

950µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/180ns

測試條件

960V, 11A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

347W

開關能量

2.66mJ (on), 1.53mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/150ns

測試條件

400V, 60A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

38A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 35A

功率-最大

125W

開關能量

1.6mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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