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STGB19NC60KDT4

STGB19NC60KDT4

僅供參考

型號 STGB19NC60KDT4
PNEDA編號 STGB19NC60KDT4
描述 IGBT 600V 35A 125W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB19NC60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB19NC60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB19NC60KDT4, STGB19NC60KDT4數據表 (總頁數: 26, 大小: 1,330.04 KB)
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STGB19NC60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.75V @ 15V, 12A
功率-最大125W
開關能量165µJ (on), 255µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用55nC
25°C時的Td(開/關)30ns/105ns
測試條件480V, 12A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)31ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 31A

功率-最大

160W

開關能量

450µJ (on), 6.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/650ns

測試條件

480V, 31A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 10A

功率-最大

85W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

600V, 10A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

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門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/149ns

測試條件

400V, 20A, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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