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STGB10NC60KDT4

STGB10NC60KDT4

僅供參考

型號 STGB10NC60KDT4
PNEDA編號 STGB10NC60KDT4
描述 IGBT 600V 20A 65W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 32,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB10NC60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB10NC60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB10NC60KDT4, STGB10NC60KDT4數據表 (總頁數: 30, 大小: 1,653.19 KB)
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STGB10NC60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 5A
功率-最大65W
開關能量55µJ (on), 85µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)17ns/72ns
測試條件390V, 5A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)22ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 31A

功率-最大

150W

開關能量

6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/400ns

測試條件

480V, 31A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

440A

電流-集電極脈沖(Icm)

1200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 200A

功率-最大

1250W

開關能量

8.8mJ (on), 6.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

736nC

25°C時的Td(開/關)

140ns/1.04µs

測試條件

400V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

160ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

功率-最大

428W

開關能量

1.74mJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/490ns

測試條件

600V, 25A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

290A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

500W

開關能量

3.7mJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

118nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/84ns

測試條件

400V, 75A, 4Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

147ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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