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STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

僅供參考

型號 STG3P2M10N60B
PNEDA編號 STG3P2M10N60B
描述 IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STG3P2M10N60B資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STG3P2M10N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
STG3P2M10N60B, STG3P2M10N60B數據表 (總頁數: 12, 大小: 445.3 KB)
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STG3P2M10N60B規格

制造商STMicroelectronics
系列SEMITOP®
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)19A
功率-最大56W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 7A
當前-集電極截止(最大值)10µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.72nF @ 25V
輸入Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SEMITOP®2
供應商設備包裝SEMITOP®2

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

695W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

90W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

310W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.056nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

130W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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